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          • PI膜(聚酰亞胺薄膜)電壓擊穿試驗儀的核心技術(shù)解析及操作規(guī)范

            以下是針對?PI膜(聚酰亞胺薄膜)電壓擊穿試驗儀?的核心技術(shù)解析及操作規(guī)范:?儀器功能與配置??核心功能?測定PI膜在?工頻交流/直流電壓?下的擊穿強度(kV/mm)和耐電壓時間,符合GB/T1408-2006、ASTMD149等標準。支持...

            2025-08-13
          • 無轉(zhuǎn)子硫化儀 應(yīng)用場景

            無轉(zhuǎn)子硫化儀應(yīng)用場景無轉(zhuǎn)子硫化儀作為橡膠工業(yè)的核心測試設(shè)備,其應(yīng)用場景覆蓋橡膠制品的全生命周期,主要聚焦于以下領(lǐng)域:一、輪胎制造領(lǐng)域?配方優(yōu)化?測定胎面膠、胎側(cè)膠等部位的正硫化時間(t??)與焦燒時間(t??),例如半鋼子午線輪胎胎面膠需控...

            2025-08-06
          • 漏電起痕試驗儀污染液的配比

            GBT65532014《評定在嚴酷環(huán)境條件下使用的電氣絕緣材料耐電痕化和蝕損的試驗方法》是中國國家標準,其技術(shù)內(nèi)容修改采用IEC60587:2007。該標準對污染液(電解液)的配比、電阻率及使用有明確要求。以下是依據(jù)GBT65532014的...

            2025-07-24
          • TOC分析儀有哪些優(yōu)缺點

            TOC(TotalOrganicCarbon,總有機碳)分析儀是一種用于測量水樣中總有機碳含量的儀器,廣泛應(yīng)用于水質(zhì)監(jiān)測、制藥、食品飲料、半導體制造等領(lǐng)域。其優(yōu)缺點可從測量原理、技術(shù)性能、應(yīng)用場景及維護成本等方面綜合分析,具體如下:一、優(yōu)點...

            2025-07-16
          • 電壓擊穿試驗儀有哪些常見問題

            電壓擊穿試驗儀在使用過程中常見問題可歸納為設(shè)備運行異常、測試結(jié)果偏差、安全防護失效三大類,具體表現(xiàn)及解決方案如下:一、設(shè)備運行異常無法啟動或斷電原因:電源線接觸不良、保險絲熔斷、電源開關(guān)故障。解決方案:檢查電源線是否插緊,更換插座測試;打開...

            2025-07-16
          • 高溫四探針測試儀的應(yīng)用

            高溫四探針電阻測試儀是一種專門用于測量材料在高溫環(huán)境下電阻率/方阻的精密設(shè)備,其應(yīng)用場景主要集中在需要高溫、高精度電阻測量的領(lǐng)域。以下是其主要應(yīng)用場景:1.半導體材料與器件半導體晶圓測試:測量硅片、碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等半導體...

            2025-07-09
          • 硫化橡膠高壓五工位漏電起痕試驗儀的使用注意事項

            硫化橡膠高壓五工位漏電起痕試驗儀的使用注意事項,分為操作前、操作中和維護三個方面,供參考:一、操作前注意事項1.環(huán)境要求確保設(shè)備放置在干燥、通風良好的環(huán)境中,遠離易燃易爆物品。環(huán)境溫度建議控制在10~30℃,濕度≤85%RH(避免凝露)。2...

            2025-07-01
          • 高溫四探針測試儀適用于什么材料

            高溫四探針電阻測試儀是一種專門用于測量材料在高溫環(huán)境下電阻率/方阻的精密設(shè)備,其應(yīng)用場景主要集中在需要高溫、高精度電阻測量的領(lǐng)域。以下是其主要應(yīng)用場景:1.半導體材料與器件半導體晶圓測試:測量硅片、碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等半導體...

            2025-06-25
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