一、概述

BEST-300C型材料電導(dǎo)率測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理測(cè)試試導(dǎo)體、半導(dǎo)體材料電阻率/方阻的多用途綜合測(cè)量?jī)x器。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。

儀器成套組成：由主機(jī)、選配的四探針探頭和測(cè)試臺(tái)等三部分組成。

主機(jī)主要由數(shù)控恒流源，高分辨率ADC、嵌入式單片機(jī)系統(tǒng)組成。自動(dòng)/手動(dòng)量程可選；電阻率、方阻、電阻測(cè)試類別快捷切換：儀器所有參數(shù)設(shè)定、功能轉(zhuǎn)換全部采用數(shù)字化鍵盤(pán)輸入，簡(jiǎn)便可靠；具有零位、滿度自校功能；測(cè)試結(jié)果由數(shù)字表頭直接顯示。本測(cè)試儀采用可充電鋰電池供電，適合手持式變動(dòng)場(chǎng)合操作使用！

探頭選配：根據(jù)不同材料特性需要，探頭可有多款選配。有高耐磨碳化鎢探針探頭，以測(cè)試硅類半導(dǎo)體、金屬、導(dǎo)電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻；也有球形鍍金銅合金探針探頭，可測(cè)柔性材料導(dǎo)電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜（ITO膜）或納米涂層等半導(dǎo)體材料的電阻率/方阻。換上四端子測(cè)試夾具，還可對(duì)電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低、中值電阻以及開(kāi)關(guān)類接觸電阻進(jìn)行測(cè)量。配探頭，也可測(cè)試電池極片等箔上涂層電阻率方阻。

儀器具有測(cè)量范圍寬、精度高、靈敏度高、穩(wěn)定性好、智能化程度高、外形美觀、使用簡(jiǎn)便等特點(diǎn)。

儀器適用于半導(dǎo)體材料廠器件廠、科研單位、高等院校對(duì)導(dǎo)體、半導(dǎo)體、類半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能的測(cè)試。

二、技術(shù)參數(shù)

1. 測(cè)量范圍、分辨率（括號(hào)內(nèi)為拓展量程，可定制）

電    阻：10.0×10^-6 ～ 200.0×10³  Ω,    分辨率1.0×10^-6 ～ 0.1×10³  Ω

         （1.0×10^-6 ～ 20.00×10³  Ω,    分辨率0.1×10^-6 ～ 0.01×10³ Ω）

電 阻 率：10.0×10^-6 ～ 200.0×10³ Ω-cm   分辨率1.0×10^-6 ～ 0.1×10³  Ω-cm

         （1.0×10^-6 ～ 20.00×10³ Ω-cm  分辨率0.1×10-6 ～ 0.01×10³ Ω-cm）

方塊電阻：50.0×10^-6 ～ 1.0×10⁶ Ω/□    分辨率5.0×10^-6 ～ 0.5×10³  Ω/□

         （5.0×10^-6 ～ 100.0×10³ Ω/□  分辨率0.5×10^-6 ～ 0.1×10³  Ω/□）

2. 材料尺寸(由選配測(cè)試臺(tái)和測(cè)試方式?jīng)Q定)

直    徑： SZT-A圓測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 Φ15～130mm，手持方式不限

SZT-B/C/F方測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式180mm×180mm，手持方式不限.

長(zhǎng)(高)度：  測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 H≤100mm,    手持方式不限.

3. 量程劃分及誤差等級(jí)

4. 數(shù)字電壓表：

⑴量程： 20.00mV

⑵誤差：±0.2%FSB±2LSB

⑶大分辨力：1.0µV

顯示: 4位數(shù)字顯示，小數(shù)點(diǎn)自動(dòng)顯示

5. 數(shù)控恒流源

⑴電流輸出：直流電流0.1µA～1.0A，系統(tǒng)自動(dòng)調(diào)整。

⑵誤差：±0.2%FSB±2LSB

6. 四探針測(cè)試探頭：

有選配的型號(hào)確定，詳見(jiàn)《不同半導(dǎo)體材料電阻率/方阻測(cè)試的四探針探頭和測(cè)試臺(tái)選配方法》

7. 電源：

功 耗：< 15W，輸入:220V±10%   50Hz±2%

8. 本儀器工作條件為：

溫    度：    0-40℃

相對(duì)濕度：    ≥60%

工作室內(nèi)應(yīng)無(wú)強(qiáng)電磁場(chǎng)干擾，不與高頻設(shè)備共用電源。

9. 外形尺寸：

主機(jī)  245mm（長(zhǎng)）×220 mm（寬）×95mm（高）

三、工作原理

*****電阻率與方阻概念******：

電阻率：當(dāng)某種材料截成正方體時(shí)，平行對(duì)面間的電阻值只與材料的類別有關(guān)，而與正方形邊長(zhǎng)無(wú)關(guān)，這種單位體積的阻值可反映材料的導(dǎo)電特性，稱為電阻率（體電阻率），記為：ρ，標(biāo)準(zhǔn)單位：Ω-m,常用單位Ω-cm.

方塊電阻：薄膜類導(dǎo)體、半導(dǎo)體材料截成薄層正方形時(shí)，平行對(duì)邊間的電阻值只與材料的類別（電阻率）和厚度有關(guān)，而與正方形邊長(zhǎng)無(wú)關(guān)，這種單位面積的對(duì)邊間的阻值可反映薄膜的導(dǎo)電特性和厚度信息，稱為方塊電阻，簡(jiǎn)稱方阻。記為：R□，標(biāo)準(zhǔn)單位：Ω/□

3.1. 測(cè)試原理：直流四探針?lè)y(cè)試原理簡(jiǎn)介如下：

[1]體電阻率測(cè)量：

當(dāng)1、2、3、4四根金屬探針排成一直線時(shí)，并以一定壓力壓在半導(dǎo)體材料上時(shí)，在1、4兩根探針間通過(guò)電流I，則在2、3探針間產(chǎn)生電位差V。

（a）塊狀或棒狀樣品體電阻率測(cè)量：

由于塊狀或棒狀樣品外形尺寸遠(yuǎn)大于探針間距，符合半無(wú)窮大的邊界條件，電阻

率值可以直接由（3—1）式求出。

（b）薄片電阻率測(cè)量  (以S1=S2=S3=1mm時(shí)，C≈0.628 cm為例)。

薄片樣品因?yàn)槠浜穸扰c探針間距相近，不符合半無(wú)窮大邊界條件，測(cè)量時(shí)要附加樣品的厚度、形狀和測(cè)量位置的修正系數(shù)。其電阻率值可由下面公式得出：

 [3] 特薄膜或薄層的電阻率測(cè)量

由于薄片或膜，查表厚度修正系數(shù)誤差較大，可按式（3-5）和（3-6），忽略形狀修正可得薄膜電阻率ρ= R_□*W,   R_□單位Ω/□， w單位cm ,  ρ單位Ω-cm       （3-7）

四、使用方法

BEST-300C測(cè)試儀能夠測(cè)量半導(dǎo)體材料體電阻率ρ、方塊電阻（薄片電阻率）R_口以及體電阻R，測(cè)量時(shí)需調(diào)整相應(yīng)的修正系數(shù)和選擇相應(yīng)的功能。

本產(chǎn)品不但提供了電阻率ρ、方塊電阻R_口以及體電阻R測(cè)試的基本修正系數(shù)設(shè)定，還提供了產(chǎn)品厚度G、外形和測(cè)試位置的修正系數(shù)D設(shè)定，極大的提高了測(cè)試精度。測(cè)試類別的快捷選擇方式，方便了用戶同時(shí)測(cè)試多個(gè)參數(shù)，提高測(cè)試效率。

4.1 操作概述：

（1）測(cè)試準(zhǔn)備：

對(duì)于電阻器類樣品，用四端子測(cè)試線按照?qǐng)D5-1連接好樣品，對(duì)于半導(dǎo)體材料，測(cè)試前表面應(yīng)進(jìn)行必要的處理。如圖5-2，對(duì)于硅材料要進(jìn)行噴砂或清潔處理，對(duì)于薄膜類的要保持表面清潔，必要的要進(jìn)行清潔。樣品放在平整的臺(tái)面上。將測(cè)試探頭的插頭與主機(jī)的輸入插座連接起來(lái)，連接好探頭和主機(jī)。將電源開(kāi)關(guān)置于開(kāi)啟位置，數(shù)字顯示亮。儀器要預(yù)熱15分鐘以上，增加讀數(shù)穩(wěn)定性。

開(kāi)機(jī)默認(rèn)的狀態(tài)是測(cè)量模式，可按“模式”鍵“”切換到設(shè)定模式。儀器只有在設(shè)定模式下才接受相關(guān)參數(shù)設(shè)定功能。開(kāi)機(jī)默認(rèn)設(shè)定類別為電阻測(cè)試修正系數(shù)，可以根據(jù)需要切換設(shè)定系數(shù)類別和修改當(dāng)前默認(rèn)參數(shù)值。

在設(shè)定模式下儀器要設(shè)定的參數(shù)類別，由 “類別選擇”鍵來(lái)選擇，由顯示窗口左位紅色數(shù)碼管顯示；參數(shù)值由顯示窗口右四位數(shù)碼配合顯示窗右側(cè)單位指示來(lái)顯示；參數(shù)大小由數(shù)碼鍵盤(pán)輸入。具體參數(shù)類別、符號(hào)、含義、取值范圍

（3）測(cè)量數(shù)據(jù)

在設(shè)定模式下（設(shè)定完畢，保存好數(shù)據(jù)后），選擇測(cè)量類別（電阻率ρ、方塊電阻（薄片電阻率）R_口或體電阻R中三選一，切換儀器到“測(cè)量”模式，窗口左側(cè)“測(cè)量”模式燈亮。電阻測(cè)量,注意良好接觸，電壓測(cè)試端在內(nèi)側(cè)；半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試，將探針與樣品良好接觸，注意壓力要適中；由數(shù)字顯示窗直接讀出測(cè)量值。

    注意！測(cè)量狀態(tài)中，電流量程默認(rèn)為自動(dòng)方式，也可調(diào)整為手動(dòng)方式，手動(dòng)方式下，電流量程適合的，儀器會(huì)穩(wěn)定顯示數(shù)據(jù)，電流量程不適合的會(huì)給出超量程或欠量程閃爍提示，對(duì)于超量程，說(shuō)明電流過(guò)大，要調(diào)到較小電流檔；對(duì)于欠量程，說(shuō)明電流過(guò)小，要調(diào)到較大電流檔。

4.2.設(shè)定修正系數(shù)注意事項(xiàng)：參照表5.1和附表1和附表2

(1) 電阻測(cè)量:

設(shè)定R=1.000。，其他可以忽略。只讀結(jié)果。

(2) 棒狀、塊狀樣品電阻率測(cè)量，符合半無(wú)窮大的邊界條件:

        設(shè)定電阻率基本系數(shù)C，參照表5.1， 厚度修正G=1.000,形狀位置修正D=1.000，只讀結(jié)果。

(3) 薄片電阻率測(cè)量:

當(dāng)薄片厚度與針距比W/S>0.5時(shí)， 設(shè)定電阻率基本系數(shù)C，參照表5.1，厚度修正G<1.000,形狀位置修正D<1.000,具體值G（W/S）和D（d/S）要查附表1和附表2，只讀結(jié)果。

當(dāng)薄片厚度與針距比W/S<0.5時(shí),可以先測(cè)方阻，再人工計(jì)算厚度和位置形狀修正。

        電阻率ρ=R_口×W×D(d/S),式中W：樣品厚度（cm）, D(d/S)查附表2。

(4) 方塊電阻測(cè)量:

設(shè)定電阻率基本系數(shù)□：，參照表5.1，厚度修正G忽略，形狀位置修正D<1.000, D（d/S）要查附表2，只讀結(jié)果。

（3）數(shù)據(jù)輸入規(guī)則說(shuō)明及示例

(a) 修正系數(shù)   

在半導(dǎo)體類電阻率或方阻測(cè)試中，如果修正系數(shù)計(jì)算值遠(yuǎn)小于1，為了顯示讀取更多有效數(shù)字，數(shù)據(jù)輸入可采用準(zhǔn)科學(xué)記數(shù)法，即有效數(shù)字取0.100≤X≤1.000，指數(shù)（單位）取值10^-3～10³。

修正系數(shù)設(shè)定示例：注意X為 ρ，口，R，G，D，分類界限值中的任意一個(gè)。